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KD25-200N
位移传感器
CMOS 激光位移传感器
  • 供短、中、长 3 种检测距离选择
  • 同时具备开光量及模拟量双重输出
  • 体积小、光电小、精度高
  • 铝合金外壳,坚固耐用
  • 技术特点
  • 尺寸
  • 连接
  • 其它
检测距离 200±80mm
重复精度 200μm
直线性 ±0.2%F.S.
温度特性 0.03%F.S./°C
光源 红色半导体激光 2 类,最大输出:1mW, 发光光束波长 655nm
光束直径 约 Φ300μm
电源电压 12V~24V DC±10% 脉动 P-P10%
消耗电流 40mA 以下(电源电压 24V DC 时),60mA 以下(电源电压 12V DC 时)
控制输出:
NPN NPN 开路集电极晶体管最大流入电流:50mA 、外加电压:30V DC 以下(输出和 0V 之间)剩余电压 1.5V 以下(流入电流 50mA 时)、漏电流:0.1mA 以下
PNP PNP 开路集电极晶体管最大流入电流:50mA 、外加电压:30V DC 以下(输出和 +0V 之间)剩余电压 1.5V 以下(流入电流 50mA 时)、漏电流:0.1mA 以下
输出动作 入关时 ON/ 非入光时 ON 可切换
短路保护 配备(自动恢复型)
反应时间 1.5ms/5ms/10ms 可切换
外部输入 NPN/PNP 无接点输入,有效 :0V~1.2V DC 输入阻抗:10KΩ
防护等级 IP67
环境温度 -10~+40° C(不结露、不结冰) 保存时:-20~+60° C
环境湿度 35%~85%RH 保存时:35%~85%RH
环境照度 白炽灯:受光面照明度 3000Lux
连接方式 带 0.15mmΦ5 芯复合电缆 2m
外壳材质 本体外壳:铝铸件、前面盖板:丙烯基
重量 约 85g

  • 克朗兹(广州)电子有限公司
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